加藤 恵太

配属

• 2021年11月
• 3期生

研究テーマ

• B4: 第一原理計算による半導体欠陥形成エネルギー計算
• 修士: Cu$_2$Sn$_{1-x}$Ge$_x$S$_3$における欠陥形成エネルギーに関する第一原理計算

卒業

• 2025年3月